Из литографии

При проявлении позитивного резиста удаляется материал из экспонированных областей; оставшаяся резистная маска пригодна для проведения взрывной литографии, так как является растворимой. При проявлении негативного резиста удаляется материал из неэкспонированных областей, а оставшийся в экспонированных местах резист является нерастворимым и непригоден для взрывной литографии.

Уменьшение размеров при сверхвысоком уровне интеграции (СБИС) снизило стоимость схем (функций) на несколько порядков послужило причиной бума в электронной промышленности, названного современной промышленной революцией. С 1970 г. число элементов на одном кристалле ИС возросло в 106 раз и по прогнозам постепенно приблизится к миллиарду элементов на кристалл в 2010 г.

Для увеличения производственных мощностей и возможного снижения стоимости одного кристалла изготовители стремятся увеличить диаметр кремниевых пластин. Возможно, к 1990 г. он достигнет 250 мм.

Яндекс.Метрика
Поиск
© 2018 Carbon-e.ru — Кудиновский завод Электроугли.
Проститутки СПБ www.rusgeisha.org